Cell Thermal Runaway-ren probak eta datuakGasaren analisiaEkoizpena,
Gasaren analisia,

▍SIRIM Ziurtagiria

Pertsonen eta ondasunen segurtasunerako, Malaysiako gobernuak produktuen ziurtapen-eskema ezartzen du eta etxetresna elektronikoen, informazioaren eta multimediaren eta eraikuntza-materialen zaintza jartzen du. Kontrolatutako produktuak Malaysira esportatu daitezke produktuaren ziurtagiriaren ziurtagiria eta etiketa lortu ondoren.

▍SIRIM QAS

SIRIM QAS, Malaysiako Industria Arauen Institutuaren guztizko filiala, Malaysiako erakunde arautzaile nazionalen (KDPNHEP, SKMM, etab.) izendatutako ziurtagiri-unitate bakarra da.

Bigarren mailako bateriaren ziurtagiria KDPNHEPk (Malasiako Barne Merkataritza eta Kontsumo Gaietarako Ministerioak) izendatzen du ziurtapen-agintari bakar gisa. Gaur egun, fabrikatzaileek, inportatzaileek eta merkatariek SIRIM QAS-i ziurtagiria eska diezaiokete eta bigarren mailako baterien probak eta ziurtagiriak eskatu ditzakete lizentziadun ziurtagiri moduan.

▍SIRIM Ziurtagiria- Bigarren Bateria

Bigarren mailako bateria borondatezko ziurtagiriaren menpe dago gaur egun, baina derrigorrezko ziurtagiriaren esparruan egongo da laster. Derrigortasun-data zehatza Malaysiako iragarpen-ordu ofizialaren menpe dago. SIRIM QAS dagoeneko hasi da ziurtagiri eskaerak onartzen.

Bigarren mailako bateriaren ziurtapena Araua: MS IEC 62133:2017 edo IEC 62133:2012

▍Zergatik MCM?

● SIRIM QAS-ekin truke tekniko eta truke-kanal on bat ezarri zuen, MCM proiektuak eta kontsultak soilik kudeatzeko espezialista bat esleitu baitzuen eta arlo honetako azken informazio zehatza partekatzeko.

● SIRIM QAS-ek MCM proben datuak aitortzen ditu, laginak MCMn probatu ahal izateko Malaysiara bidali beharrean.

● Baterien, egokitzaileen eta telefono mugikorren Malaysiako ziurtapenerako zerbitzu bakarra eskaintzea.

T1 zelula berotu eta barneko materialak deskonposatzen dituen hasierako tenperatura da. Bere balioak zelularen egonkortasun termiko orokorra islatzen du. T1 balio handiagoa duten zelulak egonkorragoak dira tenperatura altuetan. T1 handitzeak edo txikitzeak SEI filmaren lodieran eragingo du. Zelularen tenperatura altu eta baxuko zahartzeak T1-ren balioa gutxituko du eta zelularen egonkortasun termikoa okerragoa izango da. Tenperatura baxuko zahartzeak litio-dendriten hazkundea eragingo du, eta ondorioz T1-aren gutxitzea eragingo du, eta tenperatura altuko zahartzeak SEI filmaren haustura ekarriko du, eta T1 ere gutxituko da.
T2 presio arintzeko tenperatura da. Barne gasaren erliebe puntualak beroa ondo xahutu eta ihes termikoaren joera moteldu dezake. Erlazio handia du diafragmaren substratuaren errendimenduarekin. T3-ren balioak zelula barneko materialaren erresistentzia termikoa ere islatzen du. T3 altuagoa duen zelula bat seguruagoa izango da tratu txarren baldintza ezberdinetan.
T4 zelulek ihes termikoetan irits dezaketen tenperatura altuena da. Moduluan edo bateria-sisteman ihes termikoa hedatzeko arriskua gehiago ebaluatu daiteke, zelularen ihes termikoetan zehar bero-sorkuntza osoa (ΔT=T4 -T3) ebaluatuz. Beroa handiegia bada, inguruko zelulen ihes termikoa ekarriko du, eta azkenean modulu osora hedatuko da.